कैस:132069-10-4|डि-एन-ब्यूटाइलमोनियम लेड (II) टेट्राआयोडाइड

परिचय और अनुप्रयोगसीएएस:132069-10-4|डि-एन-ब्यूटाइलमोनियम लेड (II) टेट्राआयोडाइड

• डाइ-एन-ब्यूटाइलैमोनियम लेड (II) टेट्रा आयोडाइड का उपयोग लेड हैलाइड पेरोव्स्काइट सौर कोशिकाओं के निर्माण में एक अग्रदूत सामग्री के रूप में किया जाता है। DBAPbI4 पर आधारित पेरोव्स्काइट सौर कोशिकाओं ने उच्च शक्ति रूपांतरण दक्षता दिखाई है और पारंपरिक सिलिकॉन-आधारित सौर कोशिकाओं के लिए कम लागत और कुशल विकल्प के रूप में महत्वपूर्ण ध्यान आकर्षित किया है। DBAPbI4- आधारित पेरोव्स्काइट सामग्री ट्रांजिस्टर और प्रकाश उत्सर्जक डायोड (एलईडी) जैसे पतली फिल्म इलेक्ट्रॉनिक्स में अनुप्रयोग पाती है।
• कार्बनिक-अकार्बनिक हाइब्रिड पेरोवस्किट्स आधारित अर्धचालक पदार्थ लंबे चार्ज वाहक जीवनकाल और प्रसार लंबाई, और उच्च फोटोल्यूमिसेंस क्वांटम उपज जैसे उत्कृष्ट गुण प्रदर्शित करते हैं। ये गुण प्रकाश उत्सर्जक डायोड (एलईडी), लेजर और फोटोडिटेक्टर में अनुप्रयोगों के लिए पेरोवस्काइट सामग्री को उपयोगी बनाते हैं। बिस [एन-ब्यूटाइलमोनियम] टेट्राआयोडोपंबेट 2डी-स्तरित पेरोवस्काइट है और एलईडी में वायलेट एमिटर के रूप में अनुप्रयोग पाता है।

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CAS के संबंधित लेख:132069-10-4|di-n-ब्यूटाइलमोनियम लेड(II) टेट्राआयोडाइड

उच्च दक्षता वाले दो-आयामी रुडल्सडेन-पॉपर पेरोव्स्काइट सौर सेल।
शिनहान त्साई एट अल.
प्रकृति, 536(7616), 312-316 (2016-07-08)
त्रि-आयामी कार्बनिक-अकार्बनिक पेरोवस्काइट्स अपने उल्लेखनीय फोटोफिजिकल गुणों के कारण सबसे आशाजनक पतली फिल्म सौर सेल सामग्री के रूप में उभरे हैं, जिससे 20 प्रतिशत से अधिक बिजली रूपांतरण क्षमता प्राप्त हुई है, और आगे भी सुधार की संभावना है।

सौर सेल अनुप्रयोगों के लिए प्रकाश-अवशोषित सामग्री के रूप में 2D समजातीय पेरोव्स्काइट्स।
दुयेन एच काओ एट अल.
जर्नल ऑफ द अमेरिकन केमिकल सोसाइटी, 137(24), 7843-7850 (2015-05-29)
हम अर्धचालक 2D (CH3(CH2)3NH3)2(CH3NH3)(n-1)Pb(n)I(3n+1) (n=1, 2, 3, और 4) पेरोव्स्काइट पतली फिल्मों के निर्माण और गुणों पर रिपोर्ट करते हैं। श्रृंखला के बैंड अंतराल n मानों में वृद्धि के साथ घटते हैं, 2.24 eV (CH3(CH2)3NH3)2PbI4 (n=1) से

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